錦正茂成立于
研發(fā)團(tuán)隊(duì)占公司總?cè)藬?shù)
技術(shù)攻關(guān)與研發(fā)
用心服務(wù)客戶(hù)
產(chǎn)品展示
描述：實(shí)驗(yàn)室低溫制冷設(shè)備-氣氛型液氮恒溫器氣氛型液氮恒溫器，可以將樣品放置于靜態(tài)的氦氣當(dāng)中，使樣品本身可以充分冷卻，這種設(shè)計(jì)方案可以對(duì)導(dǎo)熱率差、不易熱錨的樣品均勻冷卻（eg：液體、粉末、以及一些形狀不規(guī)則的...
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描述：4K閉循環(huán)低溫恒溫器 錦正茂科技定制結(jié)構(gòu)緊湊、性?xún)r(jià)比高、達(dá)到低溫不消耗制冷劑，維護(hù)周期長(zhǎng)、擴(kuò)展性強(qiáng)、使用方便；多種鍍金無(wú)氧銅樣品座，可滿(mǎn)足不同實(shí)驗(yàn)要求的測(cè)量需求，可快速更換樣品座。
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描述：磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁控原理磁測(cè)量系統(tǒng)FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)配置：TESTIK475有1個(gè)計(jì)算機(jī)接口：RS-232串口:。這個(gè)接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測(cè)量值得讀回。
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描述：高溫磁場(chǎng)退火爐實(shí)驗(yàn)室設(shè)備在強(qiáng)磁場(chǎng)（或無(wú)磁）環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行加熱，加熱到一定溫度（用戶(hù)需要自己設(shè)定）并保持在該溫度，再持續(xù)加一個(gè)磁場(chǎng)（可隨時(shí)變化），達(dá)到用戶(hù)的目的后，關(guān)閉磁場(chǎng)，關(guān)閉加熱環(huán)境，冷卻到室溫。
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描述：高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)該類(lèi)型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶(hù)的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
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描述：二維實(shí)驗(yàn)室電磁鐵LY100-2北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的多極電磁鐵以四極電磁鐵居多，也有五極、六極、八極等多極的應(yīng)用，主要應(yīng)用于多極磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場(chǎng)、旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁導(dǎo)向等多種應(yīng)用，
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描述：10nm超低震動(dòng)4K變溫系統(tǒng) /液氦極低溫集成控制系統(tǒng)：控制真空系統(tǒng)、制冷機(jī)的運(yùn)行及安全反饋功能。可設(shè)置和顯示工作目標(biāo)參數(shù)和系統(tǒng)工作狀態(tài)，具備反饋安全控制功能。
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描述：錦正茂科技/10nm級(jí)4K液氦極低溫系統(tǒng) 該系統(tǒng)由氦制冷機(jī)、氦壓縮機(jī)、水冷機(jī)、真空泵組、溫度傳感器、控溫儀、真空腔體、KF25真空抽口、以及制冷機(jī)支架、樣品臺(tái)、樣品卡等附件共同構(gòu)成。
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錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營(yíng)模式，專(zhuān)門(mén)從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷(xiāo)售各類(lèi)型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成，定制，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線(xiàn)圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線(xiàn)管，電子槍?zhuān)ǜ叻€(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類(lèi)齊全，性能可靠，至今已...
技術(shù)文章
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類(lèi)材料；封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料。1、粘結(jié)材料采用粘結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)管芯與底座或封裝基板連接的材料，在物理化學(xué)性能上要滿(mǎn)足機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電導(dǎo)熱、低固化溫度和可操作性強(qiáng)的要求。在實(shí)際應(yīng)用中主要的粘...
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類(lèi)材料；封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料。制造材料1、光刻膠光刻膠是光刻工藝的核心材料，其主要是通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。按照下游應(yīng)用場(chǎng)景不...
霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的傳感器，可以測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度和電流等物理量。霍爾效應(yīng)是指，當(dāng)電流通過(guò)一塊導(dǎo)體時(shí)，如果該導(dǎo)體置于垂直于電流方向的磁場(chǎng)中，就會(huì)在導(dǎo)體兩側(cè)出現(xiàn)一定的電勢(shì)差，這就是霍爾效應(yīng)?；魻栐梢岳没魻栃?yīng)測(cè)量磁場(chǎng)的大小和方向。使用半導(dǎo)體材料制作的霍爾元件有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：1、高精度：半導(dǎo)體材料的電子遷移率高，能夠保證電子傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性，從而提高了霍爾元件的精度。2、高靈敏度：半導(dǎo)體材料的靈敏度比金屬材料高，可以更加準(zhǔn)確地測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度和電流等物理量。3、小尺寸：半...
半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)判斷材料的導(dǎo)電類(lèi)型?；魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn)，當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積，形成附加的橫向電場(chǎng)。根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載...
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)，它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為以下幾類(lèi)。1、化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素...
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)，它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料特性半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，...
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